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嵌入式平板電腦中采用DDR2和DDR的區(qū)別 
(發(fā)布日期:2009-12-3 9:12:46) 來源:www.htk.cn
 
   

  嵌入式平板電腦中采用DDR2和DDR的區(qū)別

   在嵌入式這個行業(yè)中,高性能,低功耗成了各個生產廠家主要目標之一,其中像重慶海特克生產iTouch-150TA 15平板電腦中采用DDR2的ARM與其他采用DDR有很大的區(qū)別:

   1.在同等核心頻率下,DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數據的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實際頻率為200MHz,而DDR2則可以達到400MHz。

   2.封裝和發(fā)熱量:DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限制。
  DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當頻率更高時,它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
  DDR2內存采用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量,這一點的變化是意義重大的。

   3.DDR2采用的新技術:DDR2引入了三項新的技術,它們是OCD、ODT和Post CAS;OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅動調整,ODT:ODT是內建核心的終結電阻器,Post CAS:它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。

  總的來說,DDR2采用了諸多的新技術,改善了DDR的諸多不足,把低功耗和高性能充分的體現出來。這樣在嵌入式平板電腦中,大大的降低了功耗和提高處理速度.

 
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